特許

J-GLOBAL ID：200903011495329060

半導体製造装置

発明者： 池田 秀章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-101120
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289170
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 装置を大型化することなく、ガス供給面に反応ガスを均等に供給し得る半導体製造装置を提供すること。【解決手段】 マスフローコントローラ13を備えガスヘッド17に至るガス供給管14を分岐管151 、152 、153 に分岐して、それぞれに微調整用の流量調節バルブ231 、232 、233 を設けると共に、ウエハーWを搬送するメッシュ状の搬送ベルト11のガスヘッド17の下方となるガス供給面にガス濃度センサ211 、212 、213 を配置し、ガス濃度の計測値が入力されるコントローラ22によって流量調節バルブ231 、232 、233 の開度を制御して、ガス供給面におけるガス濃度を均一化させる。

請求項（抜粋）：

ガス供給管に接続されるガスヘッドからガス供給面上の基板へ反応ガスを供給する型式の半導体製造装置において、前記ガス供給管が分岐管に分岐されて前記ガスヘッドに接続されており、かつ前記分岐管のそれぞれに微調整用の流量制御バルブが取り付けられていることを特徴とする半導体製造装置。