特許
J-GLOBAL ID：200903011497974671
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
, 仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-221464
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041336
出願日： 2004年07月29日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 Sbをサーファクタントとして用いて形成されたGaInAsSb量子井戸層またはGaInNAsSb量子井戸層を有する半導体装置において、良好な発光強度と、発光スペクトルの半値幅と、所望の発光波長を実現する。【解決手段】 量子井戸層の成長開始時での成長表面のSb量がサーファクタントとして機能するに十分なように、量子井戸層の成長を開始する前、たとえば障壁層104の成長中にSbを供給する。その後、GaInAs混晶またはGaInNAs混晶の成長中にSbをサーファクタントとして供給して、基板上にGaInAsSbまたはGaInNAsSbからなる量子井戸層105を成長させる。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
GaInAs混晶またはGaInNAs混晶の成長中にSbをサーファクタントとして供給して、基板上にGaInAsSbまたはGaInNAsSbからなる量子井戸層を成長させる半導体装置の製造方法であって、
前記量子井戸層の成長開始時での成長表面のSb量がサーファクタントとして機能するに十分なように、前記量子井戸層の成長を開始する前にもSbを供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01S5/343
, H01S5/343 610
5F173AA05
, 5F173AH29
, 5F173AH47
, 5F173AP10
, 5F173AQ16
, 5F173AR02
, 5F173AR14
