特許

J-GLOBAL ID：200903011508651071

ストライプの形成にドライエツチングを使用する埋込みストライプ半導体レーザの製造方法及びこの方法によつて得られるレーザ

発明者： ヌールデイーヌ ブアダマ
出願人/特許権者： フランス テレコム エタブリスマン オートノンドウ ドロワ ピユーブリツク (サントル ナシオナル デチユード デ テレコミユニカシオン)
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075284
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082915
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【構成】 本発明の方法によると、第1のエピタキシャル成長によって基板(20)上に第1のドーピング形を有する第1のクラッド層(22)、活性層(24)及び保護層(28)を堆積させてヘテロ構造を形成し、アルゴン、メタン及び水素の気体混合物を使用する反応性イオンビームエッチング方法によって、上記保護層及び上記活性層を上記第1のクラッド層まで下方にエッチングして、該活性層からストライプ(32)を形成し、第2のエピタキシャル成長によって上記第1のドーピング形と反対の第2のドーピング形を有する半導体層に上記ストライプ(36)を埋込む。【効果】 光通信に適用される。

請求項（抜粋）：

第1のエピタキシャル成長によって、第1のドーピング形を有する第1のクラッド層(22)、活性層(24)及び保護層(28)を基板(20)上に連続して堆積してヘテロ構造を形成し、ドライエッチングを使用して、上記保護層(28)及び上記活性層(24)を下方に上記の第1のクラッド層(22)までエッチングして、該活性層(24)からストライプ(32)を形成し、第2のエピタキシャル成長によって上記第1のドーピング形と反対の第2のドーピング形を有して第2のクラッド層を形成する半導体層(36)に上記ストライプ(32)を埋込む、埋込みストライプ半導体レーザの製造方法であって、上記保護層(28)及び上記活性層(24)は、アルゴン、メタン及び水素の気体混合物を使用する反応性イオンビームエッチング法によってエッチングされることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭64-079389