特許

J-GLOBAL ID：200903011510011080

半導体集積回路

発明者： 水澤 武 ,  大友 祐輔
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 川久保 新一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-056506
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227971
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】 電源電圧よりも高い入力電圧を印加することができ、しかも、電源電圧よりも高い入力電圧を印加しても、サージ耐量を確保することができる半導体集積回路を提供することを目的とするものである。【構成】 半導体集積回路本体の入力端子、出力端子、双方向端子の少なくとも1つの端子に、NチャネルMOSFETのソースが接続され、半導体集積回路本体の正電圧側電源端子に、NチャネルMOSFETのドレインが接続され、半導体集積回路本体の接地側電源端子に、NチャネルMOSFETのゲートが接続されているものである。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路本体の保護素子として、NチャネルMOSFETを使用する半導体集積回路であって、上記半導体集積回路本体の外部から信号を入力する入力端子、上記外部へ信号を出力する出力端子、入力端子と出力端子との両機能を備えた双方向端子の少なくとも1つの端子に、上記NチャネルMOSFETのソースが接続され、上記半導体集積回路本体の正電圧側電源端子に、上記NチャネルMOSFETのドレインが接続され、上記半導体集積回路本体の接地側電源端子に、上記NチャネルMOSFETのゲートが接続されていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-051877
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-027927   出願人：松下電子工業株式会社