特許

J-GLOBAL ID：200903011511146230

プラズマ成膜方法、プラズマ成膜装置及びそれに用いるプラズマ発生装置

発明者： 山田 鈴弥 ,  野々垣 良三 ,  和田 徹也 ,  中居 進治
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215209
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064535
出願日： 1994年08月18日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 2種類の原料ガスを用いたプラズマCVD法による成膜において、形成される膜の微細組織、化学組成の制御性を向上させ、高品質で化学量論比に近い薄膜を低温で成膜可能とする。【構成】 第1の原料ガスのプラズマ中に、第2の原料ガスのプラズマを到達させることなく、第2の原料ガスのラジカルのみを供給して、第1の原料ガスのイオン・ラジカルと第2の原料ガスのラジカルとを反応させる。

請求項（抜粋）：

第1の原料ガスを励起する第1のプラズマと第2の原料ガスを励起する第2のプラズマを合流させることなく、基板付近の析出場における第1のプラズマ中に第2のプラズマで励起した第2の原料ガスのラジカルを供給して基板面に成膜を行うことを特徴とするプラズマ成膜方法。