半導体薄膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：碓氷裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-002350
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190449
出願日： 1992年01月09日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】単結晶SOIへの不純物ドーピングにおいて、イオン注入した領域を活性化アニールしても単結晶化することができる半導体薄膜の製造方法を提供すること。【構成】ゲート12を形成した後は、ソース、ドレイン形成のため不純物をイオン注入する。このとき、イオン注入による単結晶Si薄膜の非晶質化が下地のフィールド酸化膜20との界面にまで到達しないような加速電圧にて不純物をイオン注入する。すると、アイランド30はイオン注入されて非晶質領域であるイオン注入領域32とその下部のイオンが未注入で単結晶領域35とゲート直下のイオン未注入領域31に分離される。

請求項（抜粋）：

その主表面に非晶質絶縁領域を有する基板の該非晶質絶縁領域上に単結晶半導体膜を形成する工程と、前記単結晶半導体膜において前記非晶質絶縁領域との界面近傍に単結晶領域が残るイオン注入条件で該単結晶領域側から不純物をイオン注入する工程と、前記単結晶半導体膜を熱処理して前記単結晶半導体膜内に残された前記単結晶領域をシードとして結晶成長させて前記イオン注入により前記非晶質化した領域を単結晶化するとともに、前記不純物を前記単結晶領域まで拡散させる工程と、を備えることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 27/12 , H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/265 Q , H01L 21/265 A , H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭58-056409
特開昭62-277719
特開平4-032265

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