特許
J-GLOBAL ID：200903011514807350
ロッカブルセルを持つ不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-245155
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116494
出願日： 1997年09月10日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 メモリセルに独立的にロッカブルセルのロック及びアンロックを指定することのできるEEPROMを提供する。【解決手段】 メモリブロックで、選択されたロッカブルセルの情報を消去するためには、当該ロッカブルセルトランジスタMLC1〜8のコントロールゲートにグラウンド電圧を印加し、バルクに消去電圧を印加して、選択されたページのメモリセルトランジスタMC1〜8のコントロールゲートはフローティング状態になるようにする。また選択されたロッカブルセルをプログラムするためには、当該ロッカブルセルトランジスタMLC1〜8のコントロールゲートにプログラム電圧を印加し、ロッカブルビットラインにグラウンド電圧を印加して、選択されたページのメモリセルトランジスタMC1〜8のコントロールゲートにグラウンド電圧を印加する。
請求項（抜粋）：
複数のワードラインと複数のビットラインとを有し、データを貯蔵するためのメモリセルアレイ部と;複数のロッカブルワードラインとロッカブルビットラインとを有し、前記メモリセルアレイ部のページ毎の消去ロック情報を貯蔵するための前記ロッカブルワードラインに各々連結された複数のメモリセルを持つロッカブルセル部と;外部命令及びアドレスに応答して前記メモリセルアレイ部内の前記ページ中の一つを選択するためのページ選択信号を発生する手段と;前記外部命令及び前記アドレスに応答して前記ロッカブルセル部内の前記メモリセル中の一つを選択するためのロッカブルセル選択信号を発生する手段と;前記外部命令及び前記アドレスに応答して第1及び第2選択信号と、スイッチング制御信号とを発生する手段と;前記スイッチング制御信号に応答して前記ワードラインに前記ページ選択信号を選択的に伝達する第1スイッチング手段と;前記スイッチング制御信号に応答して前記ロッカブルワードラインに前記ロッカブルセル選択信号を選択的に伝達する第2スイッチ手段と;を含むことを特徴とするロッカブルセルを持つ不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 601 Q
, G11C 17/00 623 Z
