特許
J-GLOBAL ID：200903011517796520
細線状シリコン製造用坩堝および細線状シリコン
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-326082
公開番号（公開出願番号）：特開平8-183691
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 MPD法において融解したシリコンを保持する坩堝の破損を防止し、長尺な細線状シリコンを安定に、かつ大量に製造する。【構成】 パイロリティックグラファイトよりなることを特徴とし、特に坩堝内面の面粗さが 1.0μm以下である、底部に細孔を貫通させた細線状シリコン製造用坩堝1およびMPD法において前記坩堝を用いて製造された細線状シリコン3。
請求項（抜粋）：
パイロリティックグラファイトよりなることを特徴とする、底部に細孔を貫通させた細線状シリコン製造用坩堝。
IPC (3件)：
C30B 29/06 502
, G02B 6/00 371
, H01L 21/208
