特許
J-GLOBAL ID：200903011518384748
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324281
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160022
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 酸素プラズマのアッシングでは除去しきれないレジスト残渣などを、水洗などの湿式処理を施すこと無くすべてドライ処理で行うようにするものである。【構成】 まず、酸素プラズマでフォトレジストパターン2をアッシングし、次いで水素プラズマで残渣5をアッシングする。
請求項（抜粋）：
低圧力下の希薄な酸素ガスに高エネルギーを与えることにより発生する酸素プラズマによるアッシングと、半導体装置の製造に使用する不純物等の金属及びオニウム化合物などと揮発性化合物を生成するガスの前記低圧力下で前記高エネルギーを与えることにより発生するプラズマによるアッシングとを組合わせることによりフォトレジストを除去する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
, H05H 1/46
