半導体レーザ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-106507
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299770
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は内部ストライプ構造の導波路損失を適正し、効率の良い屈折率導波構造を作り込むことにより、安定した基本横モードで発振する低閾値で、楕円率も改善され、非点隔差がない、半導体レーザ装置を再現性良く量産することを目的とする。【構成】本発明の半導体レーザを作製する方法は、半導体基板上に、クラッド層、活性層、クラッド層、電流ブロック層、などの複数の半導体層を成長させる工程と、クラッド層や電流ブロック層を選択的にエッチングして、共振器方向に平行な凸部を有するストライプ溝を形成する工程とを包含する。ストライプ中央部に凸部をもつ屈折率分布を構成することにより、実効的に導波路幅をストライプ幅よりも狭くできる。即ち、光導波路の近接領域が光吸収層でないために、光導波モードとしては損失導波でなく、実屈折率導波となる。

請求項（抜粋）：

電流狭窄機能として内部ストライプ構造を備えた半導体レーザ装置において、ストライプ部を含む水平方向の等価屈折率が少なくとも3つ以上の領域に分けられ、特にストライプ内の中央部の等価屈折率n1、ストライプ内のストライプ両脇部の等価屈折率n2の関係が、中央部、両脇部の順(n1>n2)に大きく、かつ前記ストライプ内の中央部の幅が光を実屈折率導波させるほど十分に狭いことを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭62-281389
特開昭64-057784
特開平3-085785

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