半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180188
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007294
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】過熱保護機能を有し且つ温度が定格最高接合温度を越える可能性のある用途に用いることができる半導体装置を提供する。【解決手段】主半導体スイッチQmと周辺回路6とは互いに異なる半導体チップに形成してある。周辺回路6は、主半導体スイッチQmの両端間に挿入され制御端子Gへの入力に応じて導通・遮断する電流検出用半導体スイッチQsと、電流検出用半導体スイッチQsの温度を検出する温度検出部3と、温度検出部3による検出温度が所定温度に達すると主半導体スイッチQmおよび電流検出用半導体スイッチQsの温度上昇を抑制する過熱保護部4とを備えている。電流検出用半導体スイッチQsのオン抵抗を主半導体スイッチQmのオン抵抗に比べて電力損失を無視できる程度に大きく設定してある。

請求項（抜粋）：

制御端子への入力に応じて導通・遮断する三端子型の主半導体スイッチと、主半導体スイッチの周辺回路とが互いに異なる半導体チップに形成され、周辺回路は、主半導体スイッチの両端間に挿入され制御端子への入力に応じて導通・遮断する三端子型の電流検出用半導体スイッチと、電流検出用半導体スイッチの温度を検出する温度検出部と、温度検出部による検出温度が所定温度に達すると主半導体スイッチおよび電流検出用半導体スイッチの温度上昇を抑制する過熱保護部とを備え、電流検出用半導体スイッチのオン抵抗は、主半導体スイッチのオン抵抗に比べて電力損失を無視できる程度に大きく設定されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/04 F , H01L 29/78 301 K

Fターム (17件)：

5F038AV04 , 5F038AZ08 , 5F038BH02 , 5F038BH04 , 5F038BH07 , 5F038BH16 , 5F038CA08 , 5F038DF01 , 5F038DT12 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F040DA07 , 5F040DA26 , 5F040DB01 , 5F040DB06 , 5F040DB10 , 5F040EB14

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