特許
J-GLOBAL ID：200903011530466377
多層基板からなるセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-017750
公開番号（公開出願番号）：特開平8-248062
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【課題】 電極の非常に良好なコンタクトが可能となるセンサを提供すること。【解決手段】 電極を高濃度ドーピングし、低濃度ドーピングされた接続素子を第1のシリコン層から引き出して構成し、リード導体を接続素子を介して電極に接続させるようにする。
請求項（抜粋）：
第1のシリコン層(6)と、電気的リード導体(11)とを有し、前記シリコン層(6)からは少なくとも1つの電極(21,22,31,32)が引き出されて形成されており、前記リード導体(11)は第1のシリコン層(6)の表面に配設され前記電極(21,22,31,32)の接続のために用いられる、多層基板からなるセンサにおいて、前記電極(21,22,31,32)は、高濃度ドーピングされており、低濃度ドーピングされた接続素子(10)が第1のシリコン層(6)から引き出されて形成されており、前記リード導体(11)は接続素子(10)を介して電極(21,22,31,32)に接続されていることを特徴とする、多層基板からなるセンサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 15/125
, H01L 29/84 Z
