特許

J-GLOBAL ID：200903011530535018

半導体装置の製造方法

発明者： 露木 麻紀
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-155518
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353214
出願日： 2001年05月24日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】段差や凹凸のある表面形状であっても、絶縁層の表面(界面)を均一にかつ膜質よく酸化することができるようにする。【解決手段】水素含有ガス(例えば酸素ガス)と酸素含有ガス(例えば酸素ガス)とを反応容器11内に導入して行なう内燃式ウエット酸化により、絶縁層の表面を酸化する。この方法は、例えば、メモリセル内のキャパシタに用いられる容量膜の形成に適している。

請求項（抜粋）：

絶縁層を有する半導体装置の製造方法において、水素含有ガスと酸素含有ガスとを反応容器内に導入して行なう内燃式ウエット酸化により前記絶縁層の表面を酸化する段階を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (21件)：

5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF60 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD31 ,  5F083AD60 ,  5F083AD62 ,  5F083GA06 ,  5F083GA27 ,  5F083JA04 ,  5F083JA06 ,  5F083PR12