特許

J-GLOBAL ID：200903011536228931

ダイアモンド半導体の製造方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-268391
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106266
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 ダイアモンド構造の破壊のおそれなく、ダイアモンドにn型ドーピングを行うことができ、また高濃度のn型ドーピングも可能とする技術を提供する。【構成】 炭素を主成分とするダイアモンド半導体の製造方法において、必要に応じ表面をクリーニングしたダイアモンド102にリチウム原子(リチウムの窒素化合物例えばアジ化リチウムから生成されたものであってよい)をECRプラズマを用いてドーピングして拡散層106を得るダイアモンド半導体の製造方法。

請求項（抜粋）：

炭素を主成分とするダイアモンド半導体の製造方法において、リチウム原子をECRプラズマを用いてドーピングすることを特徴とするダイアモンド半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/22 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-174517
  
• 特開平1-295416
  
• 特開平3-214620
  
• 特開平1-242141