特許

J-GLOBAL ID：200903011539580024

垂直共振器型半導体レーザ素子の製造方法および垂直共振器型半導体レーザ

発明者： 植之原 裕行 ,  舘野 功太 ,  香川 俊明 ,  忠永 修 ,  天野 主税 ,  黒川 隆志
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-027854
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312847
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 安定した動作で高い発光率が得られる垂直共振器型半導体レーザおよびその製造方法を提供。【解決手段】 垂直共振器型半導体レーザは、基板と、該基板上に設けられた複数の層からなる下部DBR構造部と、該下部DBR構造部上に設けられ、かつ活性層が埋め込まれた少なくとも一つの層からなる半導体埋め込み構造部と、該活性層が埋め込まれた半導体埋め込み構造部上に設けられた複数の層からなる上部DBR構造部とを有する。また、活性層と該活性層の上下に位置する層とによって共振器領域が形成され、さらに該共振器領域を構成する各々の層の実効屈折率は、上部および下部DBR構造を構成する他の各々の層の実効屈折率および半導体埋め込み層を構成する層の実効屈折率よりも高い。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に設けられた複数の層からなる下部DBR構造部と、該下部DBR構造部上に設けられ、かつ活性層が埋め込まれた少なくとも一つの層からなる半導体埋め込み構造部と、該活性層上に設けられた複数の層からなる上部DBR構造部とを有し、さらに、前記活性層と該活性層の上下に位置する層とによって共振器領域が形成され、さらに該共振器領域を構成する各々の層の実効屈折率は、前記上部および下部DBR構造を構成する他の各々の層の実効屈折率および前記半導体埋め込み層を構成する層の実効屈折率よりも高いことを特徴とする垂直共振器型半導体レーザ。