特許
J-GLOBAL ID：200903011539692051
半導体ウェハーのCMP装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250116
公開番号（公開出願番号）：特開平10-094964
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】半導体基板上に形成された材料層のCMP研磨装置において、研磨レートの低下や研磨均一性の悪化を防止し、又、被研磨ウェハー上にスクラッチ(傷)の発生する事を防止する。【解決手段】半導体基板上に形成された材料層のCMP研磨装置において、研磨パッド4上のウェハーキャリア9の前方の近傍にスラリー供給口6を設け、スラリー5を被研磨ウェハー8に供給する。そして、研磨パッド4上のウェハーキャリア9の後方にスラリー除去装置1を設ける。更に、ウェハーキャリア9とスラリー除去装置1間にコンディショニング機構13を設ける。これにより、研磨パッド4上の研磨終了後のスラリー5、研磨屑やゴミ等がスラリー除去装置1により除去可能となり、被研磨ウェハーへのスクラッチ(傷)の発生を防止出来る。また、常に新しいスラリー5により研磨を行うことで、研磨レートや研磨均一性が安定する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハー表面を化学的機械的に研磨するCMP装置において、研磨パッドの回転方向に対しウェハーキャリアの前方にスラリー供給口を設けたことを特徴とするCMP装置。
IPC (2件)：
B24B 57/02
, H01L 21/304 321
B24B 57/02
, H01L 21/304 321 E
