特許
J-GLOBAL ID：200903011539862720
多層回路基板、その製造方法、および、その特性インピ-ダンス調整方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-282505
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188478
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】反射の小さい信号線用ビアホールを高密度にしかも安価に設ける。【解決手段】対向配置された配線層の間に絶縁体を設け、この絶縁体を貫通して設けられた接続体で配線層どうしを接続し、接続体の中央位置において接続体の一端側部分と他端側部分とを中間接続層で接続し、中間接続層の略同一面上に中間接続層に離間してシールド層を配置する。そして、接続体および中間接続層を介した配線層間の接続距離をhとし、接続体を略円柱体とみなした場合の直径をRとし、中間接続層を略円形とみなした場合の直径をrとし、中間接続層と前記シールド層との間の離間距離をLとすると、(R・r)/(2・h)≦L≦(5・R・r)/hの条件を満たすことで、特性インピーダンスの安定化を図る。
請求項（抜粋）：
対向配置された少なくとも2つの配線層と、前記配線層の間に設けられた絶縁体と、前記配線層の対向方向に沿って前記絶縁体を貫通して設けられて前記配線層どうしを接続する接続体と、前記配線層の対向方向に沿った前記接続体の中央位置において前記接続体に挟み込まれて、前記接続体の一端側部分と他端側部分とを電気的に接続する中間接続層と、前記中間接続層の略同一面上に設けられ、かつ、当該中間接続層の周囲に離間して配置されたシールド層とを有し、前記接続体および中間接続層を介した前記配線層間の接続距離をhとし、前記接続体を略円柱体とみなした場合の直径をRとし、前記中間接続層を略円形とみなした場合の直径をrとし、前記中間接続層と前記シールド層との間の離間距離をLとすると、(R・r)/(2・h)≦L≦(5・R・r)/hの条件を満たす多層回路基板。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H05K 3/46 N
, H05K 3/46 Z
, H05K 1/02 P
