特許
J-GLOBAL ID：200903011540423242
増幅器用半導体素子、増幅器用半導体素子の製造方法および増幅器用半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079210
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335595
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 電源の低電圧化に対応でき、隣接チャネル漏洩電力の条件を満足した上で、高効率、高耐圧かつ低コストの増幅器用半導体素子、増幅器用半導体素子の製造方法および増幅器用半導体装置を提供する。【解決手段】 スレッシュホールド電圧Vthがドレイン電圧Vdrと、Vdr≦ |Vth|、なる関係を有し、前記ドレイン電圧Vdrの範囲は、1.0V〜3.5Vであり、前記スレッシュホールド電圧Vthの範囲は、-2.5V〜-4.5Vである増幅器用半導体素子。
請求項（抜粋）：
スレッシュホールド電圧Vthが動作電圧と所定の関係を有する電界効果トランジスタを含んでいる増幅器用半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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