特許

J-GLOBAL ID：200903011541275352

酸化シリコン系絶縁膜のプラズマエッチング方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-062417
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260350
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 SiO2 やSiOF等の酸化シリコン系絶縁膜の高選択比、低ダメージ、実用的なエッチングレートならびに低パーティクルレベル等を共に達成しうるプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】 フッ化炭素系ガスと、NH3 やN2 H4 を含む混合ガスを用い、半導体基板1上の酸化シリコン系絶縁膜3にコンタクトホール5を開口する。混合ガスの流量比を変更し、2段階エッチングとしてもよい。さらに、イオウの堆積を併用してもよい。【効果】 被エッチング基板上に堆積するフッ化炭素系ポリマの膜質を強化して対レジストマスク4や対半導体基板1との選択比を向上する。また堆積するCF系ポリマ量を低減できるので、パーティクルレベルも低下する。

請求項（抜粋）：

NおよびHを構成元素として含むガスと、CおよびFを構成元素として含むガス、とを含む混合ガスを用い、下地材料層上の酸化シリコン系絶縁膜をパターニングすることを特徴とする酸化シリコン系絶縁膜のプラズマエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/302 A ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-276626
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-320029   出願人：富士通株式会社
• 特開昭54-055174