特許
J-GLOBAL ID：200903011547017231
水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンドを用いたFETおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
沼形 義彰 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221275
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088235
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 エンハンスドモードで動作し相互コンダクタンスの大きなFETを提供する。p型半導体を得るに当たって不純物注入の工程を必要とせず、製造プロセスを簡略化する。【構成】 表面を水素原子で終端した水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンド2の表面に金からなるソースオーミックコンタクト3とドレインオーミックコンタクト4と、アルミニウムからなるゲート電極5を形成した水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンドを用いたFET1。
請求項（抜粋）：
表面を水素原子で終端したダイヤモンドのp型表面導電層に形成した水素終端ダイヤモンドを用いたFET。
IPC (4件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, C30B 25/00
, H01L 21/205
