特許
J-GLOBAL ID：200903011547952372
複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-269745
公開番号（公開出願番号）：特開平8-129715
出願日： 1994年11月02日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 磁気抵抗効果型ヘッドと誘導型ヘッドとを基板上に積み重ねて形成した複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、実効的な記録トラック幅の拡がりを抑制するとともに記録効率も向上させる。【構成】 磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールド層となる第1の薄膜を成膜した後、該第1の薄膜をエッチング整形する前に誘導型ヘッドの下部コア層となる第2の薄膜を成膜し、前記第2の薄膜上の所定の部位に所定の平面形状を有する誘導型ヘッドの下部絶縁層、コイル層、上部絶縁層、ギャップスペーサ層及び上部コア層を順次形成し、前記上部コア層のトラック幅規制部上を除いて、該上部コア層上及び前記上部絶縁層上にレジスト層を形成し、前記上部コア層のトラック幅規制部及び前記レジスト層ををマスクとして前記第2の薄膜をエッチング整形する。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果素子層及びシールド層を備える磁気抵抗効果型ヘッドと磁気コア層及びコイル層を備える誘導型ヘッドとを基板上に積み重ねて形成した複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールド層となる第1の薄膜を成膜した後、該第1の薄膜をエッチング整形する前に誘導型ヘッドの下部コア層となる第2の薄膜を成膜する工程と、前記第1及び第2の薄膜を前記上部シールド層としての平面形状にエッチング整形する工程と、前記第2の薄膜上の所定の部位に、所定の平面形状を有する誘導型ヘッドの下部絶縁層、コイル層、上部絶縁層、ギャップスペーサ層及び上部コア層を順次形成する工程と、前記上部コア層のトラック幅規制部上を除いて、該上部コア層上及び前記上部絶縁層上にレジスト層を形成する工程と、前記上部コア層のトラック幅規制部及び前記レジスト層ををマスクとして前記第2の薄膜をエッチング整形する工程と、前記レジスト層を除去する工程とを備えることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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