特許
J-GLOBAL ID：200903011549403988
レベル変換回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-316375
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162707
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 出力端子から得られるレベル変換電圧が、電源端子VDDへの印加電圧の変動や負荷抵抗器の抵抗値変化などの影響を受けないレベル変換回路。【解決手段】 それぞれのゲートに共通にレベル変換電圧が供給され、且つそれぞれのドレインに共通に第1の電源が供給されるFETのQD1 ,QD2 と、前記QD1 ,QD2 のソースにそれぞれのドレインが個別に接続されるFETのQE1 ,QE2 と、前記QE1 ,QE2 のソースに共通にドレインが接続され、且つゲートとソースに共通に第2の電源電圧が供給されるFETのQD3 と備えて、前記QE1 ,QE2 のゲートにそれぞれ信号電圧と参照電圧を個別に入力し、前記QD2 とQE2 の接続点から前記信号電圧と参照電圧の差を増幅した信号に前記レベル変換電圧を重畳したレベル変換信号を出力し、前記QD1 とQE1 の接続点から前記信号電圧と参照電圧の差を増幅した信号の反転信号に前記レベル変換電圧を重畳したレベル変換信号を出力するレベル変換回路。
請求項（抜粋）：
それぞれのゲートに共通にレベル変換電圧が供給され、且つそれぞれのドレインに共通に第1の電源電圧が供給される第1および第2のnチャネル電界効果トランジスタと、前記第1および第2のnチャネル電界効果トランジスタのソースにそれぞれのドレインが個別に接続される第3および第4のnチャネル電界効果トランジスタと、前記第3および第4のnチャネル電界効果トランジスタのソースに共通にドレインが接続され、且つゲートとソースに共通に第2の電源電圧が供給される第5のnチャネル電界効果トランジスタとを備えて、前記第3および第4のnチャネル電界効果トランジスタのゲートにそれぞれ信号電圧と参照電圧を個別に入力し、前記第2および第4のnチャネル電界効果トランジスタの接続点から前記信号電圧と参照電圧の差を増幅した信号に前記レベル変換電圧を重畳したレベル変換信号を出力し、前記第1および第3のnチャネル電界効果トランジスタの接続点から前記信号電圧と参照電圧の差を増幅した信号の反転信号に前記レベル変換電圧を重畳したレベル変換信号を出力することを特徴とするレベル変換回路。
IPC (3件)：
H03K 5/02
, H03K 19/0185
, H03K 19/003
H03K 5/02 L
, H03K 19/003 Z
, H03K 19/00 101 B
