特許

J-GLOBAL ID：200903011552398693

素子分離領域形成法

発明者： 片岡 豊隆 ,  鈴木 利彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011271
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205137
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 クォータミクロン幅の素子分離領域から、より幅の広い各種素子分離領域までを同時に形成し、良好な素子分離領域を形成することが可能な素子分離領域形成法を提供する。【解決手段】 幅の狭い素子分離領域1に幅WT のトレンチ22を1個、幅の広い素子分離領域2には間隔Ws (Ws ≒0.91WT )を置いて幅WT のトレンチ22を複数個形成し、その後酸化炉にて酸化を行い、幅の広い素子分離領域2のトレンチ22間の半導体基板11aが完全な酸化膜に変わるまで酸化処理をして熱酸化膜23を形成する。【効果】 この素子分離領域形成法により、高集積の半導体装置作製が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に幅の異なる素子分離領域を同時に形成する素子分離領域形成法において、前記半導体基板の幅の狭い素子分離領域形成部には所定幅のトレンチを1個、幅の広い素子分離領域形成部には前記所定幅のトレンチを所定間隔を置いて複数個形成する工程と、酸化性ガスおよび酸窒化性ガスの内、どちらか一方のガスと半導体基板との熱反応による絶縁膜形成の熱処理を、前記幅の広い素子分離領域形成部のトレンチ間の半導体基板部が絶縁膜に変わるまで行い、前記トレンチを絶縁膜で埋め込む工程とを有することを特徴とする素子分離領域形成法。