特許

J-GLOBAL ID：200903011553424590

薄膜トランジスタ

発明者： 金子 好之 ,  筒井 謙 ,  山口 宗明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-197719
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048096
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】スイッチング素子用途あるいは光センサ用途で、オンオフ比あるいは明暗電流比を改善向上した非晶質シリコン薄膜トランジスタを提供する。【構成】半導体層に関し、ゲート電極とは反対側に絶縁膜を介してゲート補助電極を設け、これに固定の電圧を印加して駆動する。【効果】本発明による薄膜トランジスタによれば、半導体層の電位浮遊の面の制御が確実になり、その結果スイッチング用途ではオンオフ比あるいは光センサ用途では明暗電流比が大幅に改善される。

請求項（抜粋）：

少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜である第一の絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有し、さらに該半導体層に関しゲート電極とは反対側に第二の絶縁膜を介して導電性のゲート補助電極を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、上記ゲート補助電極の電位を固定して駆動することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (5件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 27/14 A ,  H01L 29/78 311 J ,  H01L 31/10 E ,  H01L 31/10 A