特許

J-GLOBAL ID：200903011554926956

電界放射型素子の製造方法

発明者： 小澤 隆弘 ,  鈴木 基史 ,  多賀 康訓
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227469
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067069
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】電界放射型素子の先鋭なエミッタを均一に再現性良く得られるようにすること。【解決手段】基板10上に形成され先の尖ったエミッタ20とこのエミッタの先端部分の周囲に形成され電子放出を制御するゲート電極とエミッタの先端と対向するアノード電極とを有する電界放射型素子におけるエミッタの製造方法において、基板10上にエミッタを形成する部分を除いてマスク層11、12、13を形成し、マスク層の形成された基板上にエミッタを構成する物質を選択的にエピタキシャル成長させて先端の尖ったエミッタを得る。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され先の尖ったエミッタとこのエミッタの先端部分の周囲に形成され電子放出を制御するゲート電極とエミッタの先端と対向するアノード電極とを有する電界放射型素子におけるエミッタの製造方法において、前記基板上に前記エミッタを形成する部分を除いてマスク層を形成し、前記マスク層の形成された前記基板上に前記エミッタを構成する物質を選択的にエピタキシャル成長させて先端の尖ったエミッタを得ることを特徴とする電界放射型素子の製造方法。