特許
J-GLOBAL ID：200903011555976930
ペロブスカイト型酸化物膜のドライエツチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260822
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102093
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【構成】 ペロブスカイト型酸化物膜を水素ガス及びアセチルアセトンガス、あるいは水素ガス及びn-ブチルアセテートガスによってドライエッチングするペロブスカイト型酸化物膜のドライエッチング方法。【効果】 水素プラズマから引き出した水素イオンをPZT膜に照射しながら、同時にアセチルアセトンガス、あるいはn-ブチルアセテートガスを試料近傍に導入することにより、試料上のPZT膜を構成するPb、Zr、Tiとアセチルアセトンガスが錯体を形成し、蒸発するため、PZT膜等のペロブスカイト型酸化物膜の微細なエッチングを行うことができる。従って、種々の半導体装置に応用することが可能となり、大容量DRAMや不揮発性メモリ等の高機能半導体装置を容易に製造することが可能となる。
請求項（抜粋）：
ECR(電子サイクロトロン共鳴)プラズマエッチング装置を用いて水素ガスとアセチルアセトンガスとによりペロブスカイト型酸化物膜をドライエッチングすることを特徴とするペロブスカイト型酸化物膜のドライエッチング方法。
IPC (2件)：
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