特許
J-GLOBAL ID：200903011565649270
DRAMをリフレツシユするための方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-082429
公開番号（公開出願番号）：特開平5-089677
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリがリフレッシュされる速さを向上させること。【構成】 1つのクランピング・トランジスタと共に各センスアンプ(11)が設けられる。クランピング・トランジスタはあらかじめ選択された電圧源に接続される。クランピング・トランジスタは下降しつつあるビット・ラインの電圧をあらかじめ選択された電圧に抑制することにより、下降しつつあるビット・ラインの電圧が回路地気にまで低下するのを防ぐ。
請求項（抜粋）：
ダイナミックメモリーの一領域に保持された情報をセンスするための装置であって、選択されたメモリの領域に結合されている一対のビット・ラインに接続され、前記ビット・ラインの電位差をセンスし、前記センスされた電位差に対応する大きさを有する信号をもたらすためのセンスアンプと、前記一対のビット・ラインに結合されており、前記ビット・ラインのいづれか一方の電圧が参照電位に到達するのを防ぐためのクランピング回路と、を備えた装置。
IPC (2件)：
G11C 11/409
, G11C 11/406
G11C 11/34 353 Z
, G11C 11/34 363 Z
