特許

J-GLOBAL ID：200903011567413664

アリールオキシチタン錯体の製造方法

発明者： 花岡 秀典 ,  織田 佳明
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257006
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086678
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】 アリールオキシチタン錯体の有利な製造方法を提供すること。【解決手段】 一般式(1)(式中、 Cpはシクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基であり、Aは炭素原子またはケイ素原子を示し、R1、R2、R3、R4はそれぞれ任意に水素、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、アリール等を示す。)で示されるハロゲン化チタン錯体と一般式(2)ArOM (2)(式中、Mはアルカリ金属、Arはアリール、またAr同士は互いに結合して環を形成していても良い。)で示されるアルカリ金属アリールオキシド類とを反応させることを特徴とする一般式(3)で示されるアリールオキシチタン錯体の製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式(1)(式中、 Cpはシクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基であり、Aは炭素原子またはケイ素原子を示し、R1、R2、R3、R4はそれぞれ任意に水素原子、ハロゲン原子、フッ素で置換されていても良い炭素数1〜10のアルキル基、フッ素で置換されていても良い炭素数1〜10のアルコキシ基、フッ素で置換されていても良い炭素数6〜20のアリール基、フッ素で置換されていても良い炭素数6〜20のアリールオキシ基、フッ素で置換されていても良い炭素数7〜20のアラルキル基、フッ素で置換されていても良い炭素数7〜20のアラルキルオキシ基、炭素数1〜20の炭化水素置換シリル基または炭素数1〜20の炭化水素置換アミノ基を示し、 R5、R6はそれぞれ任意に水素原子、フッ素で置換されていても良い炭素数1〜10のアルキル基、フッ素で置換されていても良い炭素数1〜10のアルコキシ基、フッ素で置換されていても良い炭素数6〜20のアリール基、フッ素で置換されていても良い炭素数6〜20のアリールオキシ基、フッ素で置換されていても良い炭素数7〜20のアラルキル基、フッ素で置換されていても良い炭素数7〜20のアラルキルオキシ基、炭素数1〜20の炭化水素置換シリル基または炭素数1〜20の炭化水素置換アミノ基を示し、X1、X2はそれぞれ任意にハロゲン原子を示す。)で示されるハロゲン化チタン錯体と一般式(2)ArOM (2)(式中、Mはアルカリ金属原子を示し、Arは同一または相異なり、それぞれ置換されていても良い炭素数6〜20のアリール基を示し、またAr同士は互いに結合して環を形成していても良い。)で示されるアルカリ金属アリールオキシド類とを反応させることを特徴とする一般式(3)(式中、Cp、A、R1、R2、R3、R4、R5、R6はそれぞれ前記と同じ意味を表わし、 Arは前記と同じ意味を表わす。)で示されるアリールオキシチタン錯体の製造方法。

IPC (2件)：

C07F 7/28 ,  C08F 4/64

FI (2件)：

C07F 7/28 F ,  C08F 4/64

Fターム (28件)：

4H049VN05 ,  4H049VP01 ,  4H049VP02 ,  4H049VP03 ,  4H049VP04 ,  4H049VP05 ,  4H049VP06 ,  4H049VP07 ,  4H049VQ20 ,  4H049VQ77 ,  4H049VQ78 ,  4H049VQ84 ,  4H049VQ92 ,  4H049VR21 ,  4H049VR24 ,  4H049VR43 ,  4H049VS20 ,  4H049VS77 ,  4H049VS78 ,  4H049VS84 ,  4H049VS92 ,  4H049VT03 ,  4H049VT19 ,  4H049VT21 ,  4H049VT26 ,  4H049VU33 ,  4H049VW01 ,  4H049VW33