特許
J-GLOBAL ID：200903011571887883
レーザーアブレーションを利用した光学膜の屈折率制御方法及び光学素子形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-082289
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277918
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：
【要約】【課題】 膜厚及び屈折率が制御された良質のシリカガラス(SiO2)膜を、基板材料を選ばずに堆積、積層させて光学素子を形成する。【解決手段】 成膜容器1の外で調整可能なレーザー光5のパルスエネルギーによりSiO2膜の堆積速度を変化させ、純粋なSiO2膜の屈折率を10-2オーダーで連続的に制御する。膜の堆積速度は0.02〜0.1nm/pulseと低いため、レーザーパルスの積算数により、ナノメートルオーダーでの膜厚制御が可能である。この手法は、光導波路素子等の製作に有効である。また形成膜同士に、より大きな屈折率差を持たせる必要がある場合、成膜容器1中の雰囲気酸素ガスの圧力のみを変化させても、SiO2膜の屈折率を連続的に制御可能である。この場合、10-1オーダーでの屈折率制御が可能であり、例えばフォトニック結晶等の製作に有効である。
請求項（抜粋）：
光学使用を目的とした膜の原材料となる化合物にレーザー光を照射し、アブレーションにより対向した基体上に光学膜を形成する場合に、前記光学膜の前記基体への堆積速度を変化させて前記光学膜の屈折率を制御することを特徴とするレーザーアブレーションを利用した光学膜の屈折率制御方法。
Fターム (11件)：
4K029AA06
, 4K029AA08
, 4K029AA09
, 4K029BA46
, 4K029BC08
, 4K029BD00
, 4K029CA01
, 4K029DB20
, 4K029DC05
, 4K029EA02
, 4K029EA03
