特許
J-GLOBAL ID：200903011574934424
半導体製造装置および処理方法、およびウエハ電位プローブ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-054552
公開番号（公開出願番号）：特開2001-338917
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：
【要約】【課題】処理中のウエハ電圧とウエハからプラズマを介したアースまでのインピーダンスを計測、または計算により求め、該インピーダンスに基づく処理を行うことができる半導体製造装置及び処理方法を提供することである。【解決手段】ウエハ電位プローブ24と、ウエハステージに印加される電圧または電流の少なくとも一方を測定する電流・電圧プローブ17と、ウエハ電圧値,ウエハステージに印加された電圧値または電流値に基づきウエハからプラズマを介したアースまでのインピーダンスを求める算出部と、該インピーダンスに基づく処理を行う処理部とを備えることにより達成することができる。【効果】正確にウエハ電圧とプラズマインピーダンスを求めることができ、この情報をもとにエッチングパラメータを制御することにより再現性の良いエッチングを達成し、歩留まりの低下を防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを処理する半導体製造装置において、真空処理室内にプラズマを発生させるユニットと、前記真空処理室内に導入する半導体ウエハを保持するためのウエハステージと、前記ウエハステージに高周波電圧を印加するための高周波電源と、前記半導体ウエハの裏面において該半導体ウエハの電圧を測定するウエハ電位プローブと、前記高周波電源からウエハステージに印加される電圧と電流の少なくとも一方を測定する電流・電圧プローブと、前記ウエハ電位プローブにより測定された前記半導体ウエハの電圧値と、前記電流・電圧プローブにより測定された電圧値または電流値とに基づき、前記半導体ウエハからプラズマを介したアースまでのインピーダンスを求める算出部と、該求めたインピーダンスに基づく処理を行う処理部とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/44
, C23C 16/505
, H01L 21/205
, H01L 21/31
C23C 16/44 J
, C23C 16/505
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H01L 21/302 E
4K030DA06
, 4K030FA01
, 4K030KA39
, 4K030LA15
, 5F004AA01
, 5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BB18
, 5F004BB22
, 5F004CA06
, 5F004CB06
, 5F045AA08
, 5F045BB03
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045GB08
