セラミック回路基板およびその製造方法並びにセラミック回路基板の品質管理方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091715
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284796
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【目的】絶縁基板と金属回路との接合信頼性が良好で、優れた耐熱サイクル性を確保できるセラミック回路基板およびその製造方法並びにセラミック回路基板の品質管理方法を提供すること。【構成】セラミック回路基板の鏡面研磨された切断面において観察されるセラミック絶縁基板と金属回路との接合界面の凹凸形状から算出される10点平均表面粗度Rz(JIS B 0601に準拠)が4μm以上であるセラミック回路基板とする。絶縁基板材料に窒化珪素を用いた場合には、窒化珪素質焼結体100質量%に対して、2a族元素から選ばれる少なくとも1種の元素成分及び3a族元素から選ばれる少なくとも1種の元素成分を、酸化物換算にて10質量%以上含有するようにするとよい。

請求項（抜粋）：

セラミック絶縁基板の少なくとも一面に金属回路が形成されたセラミック回路基板であって、該セラミック回路基板の鏡面研磨された切断面において観察される該セラミック絶縁基板と該金属回路との接合界面の凹凸形状から算出される10点平均表面粗度Rz(JIS B 0601に準拠)が4μm以上であることを特徴とするセラミック回路基板。

IPC (7件)：

H05K 3/38 , G01N 33/38 , H01L 23/12 , H01L 23/15 , H05K 1/03 610 , H05K 3/00 , C04B 35/584

FI (7件)：

H05K 3/38 A , G01N 33/38 , H05K 1/03 610 E , H05K 3/00 V , H01L 23/12 D , H01L 23/14 C , C04B 35/58 102 C

Fターム (20件)：

4G001BA05 , 4G001BA11 , 4G001BA32 , 4G001BA81 , 4G001BB05 , 4G001BB11 , 4G001BB32 , 4G001BC73 , 4G001BD23 , 4G001BE32 , 4G001BE35 , 5E343AA02 , 5E343AA24 , 5E343AA36 , 5E343BB15 , 5E343BB24 , 5E343BB67 , 5E343DD52 , 5E343ER35 , 5E343GG04

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