特許

J-GLOBAL ID：200903011586730557

埋め込みSOI構造への電気接点を有する半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： マシュー・ジェイ・ラッテン ,  スティーブン・エイチ・ヴォールドマン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091319
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321868
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 バルク能動デバイスとSOIデバイスの両者を接続する導電性スタッドを含むSOI半導体デバイス。【解決手段】 基板20,23は埋め込み絶縁層22により分離され、層領域24、25の上には逆の極性のソース/ドレインのための注入物がある。電気接続26は絶縁体27、上部絶縁体28によって部分的に分離される。領域21はバルク基板20と同じまたは逆の極性の注入物とする。領域23、21、20のドーパントの極性が同じ場合、SOI MOSFET本体はバルク接点または熱接点であり、SOI MOSFETボディ接点として働く。領域23、21のドーパントの極性が同じで領域20が逆の場合、SOI MOSFET本体と領域21はバルク基板に対するダイオードを形成し、回路応用例、電圧クランプ、ESD保護、および他の回路機能に使用するドーパントの極性用とすることができる。

請求項（抜粋）：

バルク能動デバイスおよびSOIデバイスと、前記バルク能動デバイスと前記SOIデバイスとを電気的に相互接続する導電性スタッドとを備えるSOI半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 613 Z ,  H01L 27/12 C ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-003455
  
• 半導体装置の配線接続部及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-229488   出願人：ソニー株式会社