特許

J-GLOBAL ID：200903011589953867

プラズマ処理装置

発明者： 広瀬 圭三
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-125637
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315682
出願日： 1999年05月06日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】 より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくしてプラズマ密度を均一化することが可能なプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】 被処理基板Wが収容されるチャンバー2内に相対向するように第1および第2の電極21,5を配置し、第1の電極21に高周波電源40を接続し、第1の電極21の第2の電極5に対向する面の端部領域または第1の電極21の周面に接触して、高周波電源40の周波数の高調波を吸収する高調波吸収部材51を設け、第1および第2の電極間に高周波電界を形成することにより処理ガスのプラズマを形成し、このプラズマにより被処理基板Wにプラズマ処理を施す。

請求項（抜粋）：

被処理基板が収容されるチャンバーと、チャンバー内に相対向するように設けられた第1および第2の電極と、前記第1の電極に高周波を印加する高周波印加手段と、前記第1の電極の前記第2の電極に対向する面の端部領域または前記第1の電極の周面に接触して配置され、前記高周波印加手段の周波数の高調波を吸収する高調波吸収部材と、前記チャンバー内を所定の減圧状態に維持する排気手段と、前記チャンバー内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段とを具備し、前記第1または第2の電極に被処理基板を支持させた状態で、前記第1および第2の電極間に高周波電界を形成することにより処理ガスのプラズマを形成し、このプラズマにより被処理基板にプラズマ処理を施すことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H05H 1/46 M

Fターム (17件)：

5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB29 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004CA06 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25