シリコンの精密加工方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-323838
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151387
出願日： 1992年11月10日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】段差のあるシリコン膜上でもシリコン酸化膜のマスクを低寸法変換差で形成し、かつシリコン膜のエッチング中にマスク寸法の減少を少なくする。【構成】ウエハ1の主面上にパタン形成されたホトレジスト5と極めて薄いシリコン酸化膜40をマスクとして、シリコン膜3を予めハロゲン化ガスによるプラズマエッチング法でエッチングしたのち、続いてハロゲン化ガスと酸素を含むプラズマエッチング法でエッチングする。このとき、酸化膜40の厚さは加工寸法の許容寸法変換差の半分以下、つまり50Å以下とする。これにより、シリコンエッチング中のホトレジストのエッチングによる後退をシリコン膜の加工精度と無関係にできる。また、酸化膜40の膜厚が極めて薄いので、等方的なエッチングによる除去によっても加工による線幅減少量をその膜厚の2倍の100Å程度に抑えることができる。

請求項（抜粋）：

ウエハ主面上にシリコン層と,このシリコン層上にシリコン酸化物あるいはシリコン窒化物からなる膜とレジスト層を順次形成する工程と、前記レジスト層をリソグラフィ技術によってパタン形成する工程と、前記レジストパタンをマスクとして、前記シリコン酸化物あるいはシリコン窒化物からなる膜をエッチングによりパタン形成する工程と、前記レジストパタンとパタン形成されてなるシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜をマスクとして前記シリコン層を予めハロゲン化ガスによるプラズマエッチング法でエッチングしたうえ、続いてハロゲン化ガスと酸素を含むプラズマエッチング法によりエッチングする工程とを備えることを特徴とするシリコンの精密加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , C23F 1/00 102 , C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-309633
特開平4-240729
特開平4-263424

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