特許
J-GLOBAL ID：200903011595750048
半導体光増幅装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-282571
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111177
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】 放射損失を低く抑えた上で、高い利得を実更することができ、これにより高利得の半導体光増幅器を再現性、生産性よく得ることを目的とする。【解決手段】 活性領域10を有する第一の光導波路を持つ半導体光増幅装置において、前記第一の光導波路の光導波方向は半導体基板の結晶面方位と垂直又は平行であり、スポットサイズ変換領域11を有する第二の光導波路が前記第一の光導波路に接続され、前記第二の光導波路は、曲線導波路部11bを有し、かつ、前記半導体基板の端面と斜行することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
活性領域を有する第一の光導波路を持つ半導体光増幅装置において、前記第一の光導波路の光導波方向は半導体基板の結晶面方位と垂直又は平行であり、スポットサイズ変換領域を有する第二の光導波路が前記第一の光導波路に接続され、前記第二の光導波路は、曲線導波路部を有し、かつ、前記半導体基板の端面と斜行することを特徴とする半導体光増幅装置。
Fターム (9件)：
5F073AB12
, 5F073BA01
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073DA25
, 5F073EA23
, 5F073EA28
