特許
J-GLOBAL ID：200903011599974331
縮合ベンズアゼピン誘導体の新規製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長井 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-006172
公開番号（公開出願番号）：特開平8-198879
出願日： 1995年01月19日
公開日（公表日）： 1996年08月06日
要約：
【要約】【構成】 縮合ベンズアゼピン誘導体(I)【化1】の新規製造法。【効果】 アルギニンバソプレシン拮抗作用を有する縮合ベンズアゼピン誘導体の工業的な製造法として有用である。
請求項（抜粋）：
一般式(III)【化1】(式中,R2は水素原子,ハロゲン原子,低級アルキル基,低級アルキル基で置換されていてもよいアミノ基又は低級アルコキシ基を意味し,環Cは置換基を有していてもよいベンゼン環を意味する。)で示される化合物又はその反応性誘導体と一般式(IV)【化2】(式中,R1は前記R2と同様の基を意味し,R3は,a)水素原子,b)未置換若しくは以下の基で置換された低級アルキル基,低級アルケニル基若しくは低級アルキニル基アミノ基;モノ若しくはジ低級アルキルアミノ基;アミノ基,モノ若しくはジ低級アルキルアミノ基で置換された低級アルカノイルアミノ基;保護されたアミノ基;1-ピロリジニル基;ピペリジノ基;モルホリノ基;環窒素原子上で低級アルキル基で置換されていてもよい1-ピペラジニル基,1-イミダゾリジニル基,1-ホモピペラジニル基若しくは1-ピラゾリジニル基;グアニジノ基;アミジノ基;水酸基;低級アルコキシ基;シアノ基;カルバモイル基;カルボキシル基;低級アルコキシカルボニル基;低級アルカノイルオシキ基;低級アルキル基,ハロゲン原子,低級アルコキシ基,アミノ基,モノ若しくはジ低級アルキルアミノ基,水酸基若しくはカルボキシ基で置換されていてもよいフェニル基,イミダゾリル基,ピリジル基,ピラジニル基,ピリミジニル基,ピリダジニル基,ピラゾリル基,ピロリル基,テトラゾリル基,トリアゾリル基,チアゾリル基若しくはオキサゾリル基,c)炭素数3〜8のシクロアルキル基,d)アミノ基;低級アルキル基,低級アルケニル基,低級アルキニル基若しくは低級アルカノイル基(これらの基はアミノ基;モノ若しくはジ低級アルキルアミノ基;1-ピロリジニル基;ピペリジノ基;モルホリノ基;又は環窒素原子上で低級アルキル基で置換されていてもよい1-ピペラジニル基,1-イミダゾリジニル基若しくは1-ホモピペラジニル基でさらに置換されていてもよい)でモノ若しくはジ置換されたアミノ基;1-ピロリジニル基;ピペリジノ基;モルホリノ基;低級アルキル基で置換されていてもよい1-ピペラジニル基,1-イミダゾリジニル基若しくは1-ホモピペラジニル基,e)グアニジノ基,アミジノ基又はf)水酸基,低級アルコキシ基,メルカプト基,低級アルキルチオ基を意味し,Raは水素原子又はアミノ基の保護基を意味し,X1,X2は,一方は式=N-で示される基,他方は式-NR4-,-O-又は-S-で示される基(R4は水素原子,低級アルキル基又はアミノ基の保護基を意味する。)を意味する。)で示される化合物又はその塩とを反応させ,一般式(I)【化3】(式中,R1,R2,R3,X1,X2及び環Cは前記の意味を有する。)で示される化合物又はその塩を得ることを特徴とする縮合ベンズアゼピン誘導体の製造法。
IPC (3件)：
C07D487/04 150
, C07D498/04 108
, C07D513/04 391
