特許
J-GLOBAL ID：200903011601267249
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320341
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181382
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 電極および配線の容量を小さくさせる。【構成】 レーザ構造L上に形成された電極金属16および配線の少なくとも一方の下層に溝12,29を設け、この溝12,29内を半絶縁性半導体層2で埋め込む構造とすることにより、半絶縁性半導体層2に形成される電極金属16および配線が低容量化される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にレーザ構造が形成され、前記レーザ構造上に電極および配線の少なくとも一方が形成された半導体装置において、前記電極および配線の少なくとも一方の下層に溝が設けられ、前記溝内が半導体領域にて埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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