特許

J-GLOBAL ID：200903011602128439

薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器

発明者： 北和田 清文
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141465
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332253
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 局部的な自己発熱やホットキャリアに起因するゲート電圧-ドレイン電流特性の劣化を防止することができるTFTおよびこのTFTを用いて構成したアクティブマトリクス基板並びに電気光学装置を提供することにある。【解決手段】 TFT1の能動層を構成するポリシリコン膜からなる半導体膜20には、チャネル幅方向に向かって所定の間隔をあけて複数の高濃度ソース・ドレイン領域122が形成されている。高濃度ソース・ドレイン領域122はいずれも、ゲート電極15の端部からみてチャネル長方向にずれた位置に形成されている。これらの各高濃度ソース・ドレイン領域122に対応して複数のコンタクトホール19が形成されている。半導体膜20において、ゲート電極15の端部に対峙する部分、およびチャネル幅方向で隣接する高濃度ソース・ドレイン領域122の間は低濃度領域になっている。

請求項（抜粋）：

ソース・ドレイン領域及びチャネル領域が形成されてなる半導体膜と、前記半導体膜に形成されてなるチャネル領域にゲート絶縁膜を介して対峙するゲート電極と、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極を覆うように形成されてなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に開口されたコンタクトホールを介して前記ソース・ドレイン領域にソース・ドレイン電極が電気的に接続する薄膜トランジスタにおいて、前記ソース・ドレイン領域のうち少なくとも一方の領域は、チャネル幅方向に沿って形成された複数の前記コンタクトホールを介して前記ソース電極もしくは前記ドレイン電極が電気的に接続していることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1365 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 616 S ,  G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 618 C

Fターム (79件)：

2H092JA25 ,  2H092JA41 ,  2H092JA47 ,  2H092KA04 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  2H092NA22 ,  2H092PA08 ,  2H092RA05 ,  5C094AA03 ,  5C094AA21 ,  5C094AA25 ,  5C094AA48 ,  5C094AA53 ,  5C094AA55 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB02 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA08 ,  5F110AA13 ,  5F110AA23 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE03 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG30 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL14 ,  5F110HL23 ,  5F110HM04 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-159696   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜トランジスタ、その製造方法及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-272132   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-244896   出願人：富士ゼロックス株式会社