特許
J-GLOBAL ID：200903011608167363
半導体冷却装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-277813
公開番号（公開出願番号）：特開2009-105325
出願日： 2007年10月25日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：
【課題】容易に組み立てることができるとともに冷却効率の高い半導体冷却装置を提供する。【解決手段】タンク構成体10は、外殻プレート11と外殻プレート12が中間プレート13を挟んで外周縁部においてロウ付けされ、外殻プレート11と中間プレート13の間に波板状のインナーフィン14がロウ付けされるとともに外殻プレート12と中間プレート13の間に波板状のインナーフィン15がロウ付けされている。複数の半導体パワー素子搭載基板30について、絶縁基板31の一方の面が半導体パワー素子搭載面となるとともに絶縁基板31の他方の面がタンク構成体10の外殻プレート11,12の外表面にロウ付けされている。中間プレート13には透孔16が設けられている。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
第1の外殻プレートと第2の外殻プレートが中間プレートを挟んで外周縁部においてロウ付けされ、第1の外殻プレートと中間プレートとの間に波板状の第1のインナーフィンがロウ付けされるとともに第2の外殻プレートと中間プレートとの間に波板状の第2のインナーフィンがロウ付けされ、第1の外殻プレートと第1のインナーフィンとの間に第1の冷媒通路が、また第1のインナーフィンと中間プレートとの間に第2の冷媒通路が、また中間プレートと第2のインナーフィンとの間に第3の冷媒通路が、また第2のインナーフィンと第2の外殻プレートとの間に第4の冷媒通路が、それぞれ区画形成されたタンク構成体と、
前記タンク構成体の第1および第2の外殻プレートの外表面にロウ付けされた複数の半導体パワー素子搭載基板と、
を備え、
前記半導体パワー素子搭載基板は、絶縁基板の両面に金属層が形成され、一方の面が半導体パワー素子搭載面となるとともに他方の面が前記タンク構成体へのロウ付け面であって、
前記中間プレートに透孔を設けて前記第2の冷媒通路と前記第3の冷媒通路を連通したことを特徴とする半導体冷却装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (22件)：
5E322AA01
, 5E322AA07
, 5E322AB02
, 5E322DA00
, 5E322FA01
, 5F136BA03
, 5F136BA07
, 5F136BA13
, 5F136BB11
, 5F136BC02
, 5F136BC03
, 5F136BC07
, 5F136CB07
, 5F136CB08
, 5F136CB27
, 5F136DA44
, 5F136EA13
, 5F136EA40
, 5F136FA02
, 5F136FA03
, 5F136FA16
, 5F136FA42
出願人引用 (1件)
-
電力変換装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-366494
出願人：株式会社デンソー
審査官引用 (3件)
-
ヒートパイプ式放熱器
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-297863
出願人：昭和アルミニウム株式会社
-
積層型冷却器
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-107549
出願人：株式会社デンソー
-
放熱器
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-209444
出願人：昭和アルミニウム株式会社
前のページに戻る
