半導体レーザ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-145407
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343793
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】情報処理用機器にもちいられるAlGaInP可視光半導体レーザの発振閾電流を下げ、より高温での動作を可能とする。【構成】図1のn-GaInP層5を埋込層として用いる。このn-GaInP層はSiを高濃度にドープしてあり(>5×1018cm-3)、レーザの発振波長エネルギよりも60meV以上大きな禁制帯幅を有している。n-GaInPの代りに同じくSiを高濃度ドープしたn-AlGaInPをもちいてもよい。又、n-GaAs層14の全部でなく、一部分をこれらの結晶で置き換えても良い。【効果】埋込層にSiを高濃度にドープしたGaInP又はAlGaInPをもちいるとレーザ光の内部吸収を低減することができ、発振閾電流値を低下させることが出来る。

請求項（抜粋）：

インデックス・ガイド型半導体レーザのメサストライプの埋込み層の一部又は全部をGaInP層又はAlGaInP層とし、かつ該埋込層の禁制帯幅を該レーザの発振波長エネルギーよりも60meV以上大きく設定した半導体レーザ。

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