半導体装置及び半導体記憶装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-347059
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151604
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】製造工程の複雑化を招かずにコンタクトホールの更なる微細加工を実現できる半導体装置及び半導体記憶装置の製造方法を提供すること。【解決手段】第1マスク材となる多結晶シリコン膜24と、第2マスク材となるレジスト26とを、互いに直交するラインアンドスペースパターンにパターニングする。そして両マスク材24、26のスペースパターンが交差する領域をエッチングすることによりコンタクトホールを形成し、更に第1マスク材を除去する前に第1マスク材24と同一の材料でコンタクトホールを埋め込む。その後、コンタクトプラグの形成と第1マスク材の除去とを同一のエッチング工程により行うことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体素子を被覆する層間絶縁膜上に第1マスク材を形成する工程と、前記第1マスク材をラインアンドスペースのパターンにエッチングして、前記層間絶縁膜の一部領域を露出させる工程と、前記露出された層間絶縁膜と前記第1マスク材上に第2マスク材を形成する工程と、前記第2マスク材を前記第1マスク材と交差するラインアンドスペースのパターンにエッチングして、前記層間絶縁膜の一部を露出させる工程と、前記第1マスク材をエッチングしたことにより露出された領域と、前記第2マスク材をエッチングしたことにより露出された領域とが交差する領域の前記層間絶縁膜をエッチングして、コンタクトホールを形成する工程と、前記第2マスク材を除去する工程と、前記層間絶縁膜上、前記第1マスク材上、及び前記コンタクトホール内に、前記第1マスク材と略同一のエッチングレートを有する導電性部材を形成する工程と、前記層間絶縁膜上の前記第1マスク材及び前記導電性部材を同時にエッチングして除去し、該導電性部材を前記コンタクトホール内に残存させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 21/768 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 , H01L 21/90 C , H01L 29/78 371

Fターム (39件)：

5F001AA01 , 5F001AB08 , 5F001AD53 , 5F001AD60 , 5F033JJ04 , 5F033JJ05 , 5F033JJ07 , 5F033KK01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ19 , 5F033QQ27 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033VV16 , 5F033XX03 , 5F083AD00 , 5F083EP23 , 5F083EP32 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP76 , 5F083EP77 , 5F083ER22 , 5F083GA09 , 5F083JA04 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083LA12 , 5F083MA06 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR40 , 5F101BA01 , 5F101BB05 , 5F101BD34 , 5F101BD35

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭62-102531
フォトリソグラフィ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-079836 出願人：華邦電子股ふん有限公司
3重露光法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-053970 出願人：株式会社ニコン

審査官引用 (7件)

特開昭62-102531
特開昭62-102531
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-252181 出願人：株式会社東芝

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