半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：碓氷裕彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-223933
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133329
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】半導体装置に大きな熱応力が加わったときに、有機系保護膜が大きく変形することを防止して、配線層の短絡をほぼ確実に防止する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体素子1の両面にヒートシンク4をはんだ接合させて構成されたものにおいて、半導体素子1の表面に設けられた配線層2の厚み寸法をt1とすると共に、配線層2を覆うように設けられた有機系保護膜3の厚み寸法をt2としたときに、t1<t2が成立すると共に、有機系保護膜3の常温での弾性係数を1.0〜5.0GPaとし、且つ、熱膨張係数を35〜65×10<SP>-6</SP>/°Cとするように構成したものである。そして、本発明者らは、試作及び実験等によって、上記構成の半導体装置によれば、配線層2の短絡不良をほぼ確実に防止できることを確認した。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、この半導体素子の一主面側に設けられた第1電極層と、前記第1電極層の一領域を跨ぐように被覆する絶縁性の有機系保護膜と、前記第1電極層の前記一領域上に前記有機系保護膜を介してオーバーラップする導電性接合材とを有し、第1電極層周辺部に対する前記第1電極層の表面までの厚み寸法をt1、前記第1電極層周辺部に対する前記有機系保護膜の表面までの実質的な厚み寸法をt2としたとき、t1<t2が成立することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 21/768 , H01L 23/29 , H01L 29/41 , H01L 29/417 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78

FI (7件)：

H01L 29/78 652 Q , H01L 29/78 652 S , H01L 29/78 658 F , H01L 29/44 S , H01L 29/50 M , H01L 23/36 A , H01L 21/90 S

Fターム (54件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA05 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD16 , 4M104DD37 , 4M104DD63 , 4M104DD75 , 4M104DD94 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF02 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104FF27 , 4M104GG07 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH12 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH13 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033MM01 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033QQ08 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR22 , 5F033TT02 , 5F033VV06 , 5F033VV07 , 5F033WW00 , 5F033XX13 , 5F033XX19 , 5F033XX31 , 5F036BA23 , 5F036BB12 , 5F036BC06 , 5F036BD01 , 5F036BE01 , 5F036BE06

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