特許
J-GLOBAL ID：200903011623472393
半導体装置の製造装置および方法、ならびに半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-174264
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012640
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 中間検査結果がなくても、製品の着工実績と製品特性のみを扱い、少量の情報だけで製品特性に影響を与える工程、装置を特定することができる半導体装置の製造技術を提供する。【解決手段】 半導体製造ラインの中に位置づけされ、ウェーハ製造工程、製品特性検査工程、不良工程装置特定システムなどから構成され、不良工程装置特定システム3は、日々の製品の着工実績をウェーハ製造工程から、製品特性を製品特性検査工程からそれぞれ収集するデータ受信部4と、着工実績を格納する着工実績蓄積部5と、製品特性検査結果を蓄積する製品特性蓄積部6と、着工実績と製品特性とを用いて各工程毎の装置が製品特性に与える影響度を定量化し、この値に基づいて製品特性に影響を与える工程および装置を特定するための計算処理部7と、この処理結果を出力するための出力部8とから構成されている。
請求項（抜粋）：
半導体製造ラインの製品特性に影響を与える工程および装置を特定するための不良解析機能を有する半導体装置の製造装置であって、前記半導体製造ラインの製造工程から製品の着工実績情報を収集し、かつ前記半導体製造ラインの検査工程から製品の製品特性情報を収集して、この着工実績情報と製品特性情報とを蓄積するための記憶手段と、この記憶手段内の前記着工実績情報と前記製品特性情報とを用いて各工程毎の装置が製品特性に与える影響度を定量化し、この定量化された値に基づいて製品特性に影響を与える工程および装置を特定するための処理手段とを含むことを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 Z
, H01L 21/02 Z
4M106AA01
, 4M106CA16
, 4M106CA48
, 4M106DB04
, 4M106DB21
, 4M106DH46
