特許

J-GLOBAL ID：200903011624593194

半導体ウエハの乾燥方法及びその装置

発明者： 古川 智晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-196768
公開番号（公開出願番号）：特開平8-061846
出願日： 1994年08月22日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 完全に、しかも短時間でウエハを乾燥させ、ウオータマークによるトラブルを無くし、製品の歩留り向上を計る。【構成】 この半導体ウエハの乾燥方法は、窒素ガスN2 でパージした乾燥チャンバ4内に水洗後のウエハSを収容し、この状態のウエハSの表面に液体イソプロピルアルコール(IPA)をかけ、ウエハSの表面上の水分とIPAとを混合させて共沸混合物とし、その後、前記乾燥チャンバ4内に高温窒素ガスN2 を供給して、前記共沸混合物を揮発させる方法を採っている。

請求項（抜粋）：

窒素ガスでパージしたチャンバ内に水洗後の半導体ウエハを収容し、この状態の前記半導体ウエハの表面にイソプロピルアルコールをかけ、半導体ウエハの表面上の水滴とイソプロピルアルコールとを混合させて共沸混合物とし、その後、前記チャンバ内に高温の窒素ガスを供給して、前記共沸混合物を揮発させることを特徴とする半導体ウエハの乾燥方法。

IPC (5件)：

F26B 7/00 ,  F26B 9/06 ,  F26B 19/00 ,  H01L 21/304 361 ,  H01L 21/304