タングステン系焼結体およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小堀益 , 堤隆人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005001274
公開番号（公開出願番号）：WO2005-073418
出願日： 2005年01月28日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：

本発明は、従来技術で得られなかった相対密度99.5%以上(ポアの体積率が0.5%以下)で、組織は均一で等方性を有するタングステン系焼結体を得ることを課題とする。また、前記焼結体を用いた放電灯用電極、スパッタリングターゲット、るつぼ、放射線遮蔽部材、抵抗溶接用電極などを得ることを課題とした。タングステン系粉末に、圧力は350MPa以上にてCIP処理を行い、水素ガス雰囲気中にて焼結温度1600°C以上、保持時間5時間以上の条件で焼結を行い、アルゴンガス中150MPa以上、1900°C以上の条件でHIP処理を行うことにより課題のタングステン系焼結体が得られる。また、このタングステン系焼結体は、放電灯用電極、スパッタリングターゲット、るつぼ、放射線遮蔽部材、放電加工用電極、半導体素子搭載基板、構造用部材などに好適する。

請求項（抜粋）：

タングステンまたはタングステンにアルカリ金属を100ppm以下(0ppmを含まず)添加したドープタングステン、またはセリウム、トリウム、ランタン、イットリウム、ストロンチウム、カルシウム、ジルコニウム、ハフニウムの酸化物のうち少なくとも1種を4重量%以下(0重量%を含まず)添加したタングステン系材料またはタングステンとモリブデンとの合金のうちの少なくとも1種からなり、結晶組織は等方性を有し、相対密度が99.5%以上で、平均結晶粒径が30μm以下であることを特徴とするタングステン系焼結体。

IPC (9件)：

C22C 27/04 , C22C 1/04 , B22F 3/10 , B22F 3/15 , H01H 1/021 , H01L 21/265 , C23C 14/34 , H01J 61/067 , H01J 37/317

FI (10件)：

C22C27/04 101 , C22C1/04 D , B22F3/10 F , B22F3/10 G , B22F3/15 M , H01H1/02 F , H01L21/265 603A , C23C14/34 A , H01J61/067 L , H01J37/317 Z

Fターム (31件)：

4K018AA19 , 4K018AB01 , 4K018AB10 , 4K018BA09 , 4K018CA02 , 4K018DA22 , 4K018EA12 , 4K029BA02 , 4K029BA21 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC04 , 4K029DC09 , 5C015EE06 , 5C034CC01 , 5G050AA08 , 5G050AA09 , 5G050AA17 , 5G050AA21 , 5G050AA42 , 5G050AA51 , 5G050AA52 , 5G050AA54 , 5G050BA03 , 5G050BA10 , 5G050BA12 , 5G050CA01 , 5G050EA01 , 5G050EA04

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第4,612,162号
特許3121400号

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