特許
J-GLOBAL ID：200903011629591971
半導体基板表面の処理方法および処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-307834
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144789
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウエファの表面を高度に清浄化および平坦化できる表面処理方法および処理装置を提供しようとするものである。【構成】 シリコンウエファ3を湿式洗浄室1に入れ、純水をスプレーして洗浄した後、ラジカル洗浄室2へ搬送し、水素ガスとフッ化塩素ガスとの混合ガスに紫外線を照射して生成されるフッ化水素ラジカルによって自然酸化膜を除去し、続いて雰囲気をフッ化塩素ガスのみとし、紫外線を照射して生成される塩素および水素ラジカルによってエッチングを行い、次に再び湿式洗浄室へ移し、純水によるスプレー洗浄を行う。
請求項（抜粋）：
表面を清浄処理すべき半導体基板を、純水または薬液により洗浄した後、半導体基板をフッ化塩素系ガスと、水素ガスとを含む混合ガス雰囲気中に入れ、この混合ガスに紫外線を照射して生成されるフッ化水素ラジカルによって半導体基板表面に形成されている自然酸化膜を除去し、次に、雰囲気をフッ化塩素系ガスのみとして、これに紫外線を照射して生成されるフッ素ラジカルおよび塩素ラジカルによって半導体基板の表面をエッチングすることを特徴とする半導体基板表面の処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/302
, H01L 21/304 321
