特許
J-GLOBAL ID：200903011639259150
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 精孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-060253
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151857
出願日： 1991年03月25日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】厚さが極めて薄いソ-ス部およびドレイン部に対して良好なコンタクトを得る。【構成】ポリシリコン層12のソ-ス部12Sおよびドレイン部12D上部にのみシリサイド層16を形成し、このシリサイド層16上部にバリアメタル層17を形成することにより、ソ-ス部12Sおよびドレイン部12Dの厚みを補強すると共に、Al等の配線金属18との相互拡散を防止する。
請求項（抜粋）：
半導体層にチャネル部を挟んでソ-ス部およびドレイン部を有すると共に、当該チャネル部の上部にゲ-ト電極を有し、ソ-ス部およびドレイン部に対しコンタクトをとる半導体装置において、前記ソ-ス部およびドレイン部上にのみシリサイド層を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
