特許

J-GLOBAL ID：200903011641932415

半導体記憶素子及びこれを用いた半導体記憶装置

発明者： 河内山 彰 ,  荒谷 勝久 ,  石田 実
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-137651
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342843
出願日： 2003年05月15日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】情報の記録及び読み出しを容易に行うことができ、高温環境下或いは長期保存時に記録された内容を安定して保持することができ、比較的簡単な製造方法で容易に製造することができる半導体記憶素子及びこれを用いた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】第1の電極2及び第2の電極5の間にアモルファス薄膜4が挟まれて構成され、第1の電極2及び第2の電極5の少なくとも一方の電極5がAl又はCuを含み、アモルファス薄膜4が酸化物により形成された半導体記憶素子10を構成する。また、この半導体記憶素子10と、第1の電極2側に接続された配線と、第2の電極5側に接続された配線とを有して、半導体記憶素子10を多数配置して磁気記憶装置を構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の電極及び第2の電極の間に、アモルファス薄膜が挟まれて構成され、 前記第1の電極及び前記第2の電極のいずれか、もしくは、その両方がAg又はCuを含み、 前記アモルファス薄膜が酸化物により形成されて成る ことを特徴とする半導体記憶素子。

IPC (1件)：

H01L27/10

FI (1件)：

H01L27/10 421

Fターム (9件)：

5F083CR15 ,  5F083CR20 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 化学反応を利用した記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-180927   出願人：矢野誠
• プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-599033   出願人：アリゾナボードオブリージェンツ