特許
J-GLOBAL ID：200903011643063694
太陽電池及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-110728
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303441
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 近接昇華法を用いて作製する太陽電池において、ソースはCdTe粉末を皿状の容器に敷きつめたものであった。このソースに太陽電池特性を向上させるためにドーパントを混入させる場合、均一にソース中から形成膜に取り込まれにくく、性能向上の妨げとなっていた。また、前記ソースを用いて連続してCdTe製膜を行うと、ソースの経時変化により、性能のバラツキが大きかった。本発明は、ソースへ均一にドーパントを混入することにより、変換効率の向上と安定を目的とする。【解決手段】 テルル化カドミウム粉および/あるいはカドミウム粉とテルル粉に塩化カドミウムを0.1〜1.75重量%混合して作製したペーストを、耐熱性のプレート上に印刷し近接昇華法におけるソース基板9とし、近接昇華法における製膜基板8上にCdTe膜を形成する。これにより、変換効率が高く、特性が安定した太陽電池が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体材料膜と薄膜形成用基板を空隙を挟んで近接させて対向配置し、前記半導体材料を前記薄膜形成用基板よりも高温に加熱することにより基板上へテルル化カドミウム薄膜を形成する太陽電池の製造方法において、前記半導体材料膜は半導体材料に塩化カドミウムを0.1〜1.75重量%混合して作製したペーストを、耐熱性のプレート上に印刷した膜である太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 E
, H01L 21/363
