特許

J-GLOBAL ID：200903011645736459

洗浄方法

発明者： 山藤 茂夫 ,  齋藤 健司
出願人/特許権者： ジーイー東芝シリコーン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-336650
公開番号（公開出願番号）：特開2003-147561
出願日： 2001年11月01日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：

【要約】【目的】 フラックスの付着した物品を洗浄するにあたり、蒸留・再生されるすすぎ液の絶縁性の低下を抑え、洗浄対象物の腐食および特性低下を防止する。【構成】 本発明の洗浄方法は、フラックスの付着した物品を、(A)高沸点のグリコール系溶剤と、(B)前記グリコール系溶剤と相溶しかつ該溶剤より極性の高い極性溶剤とを含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、(C)低分子量ポリオルガノシロキサンおよび/または(D)炭化水素系溶剤を含むすすぎ液によりすすぎ洗浄するすすぎ工程とを備え、前記すすぎ工程から回収されたすすぎ洗浄排液を蒸留・再生した後、再生したすすぎ液をすすぎ工程に再供給することを特徴とする。(B)極性溶剤としては、n-メチル-2-ピロリドンが例示される。

請求項（抜粋）：

フラックスの付着した物品を、(A)高沸点のグリコール系溶剤と、(B)前記グリコール系溶剤と相溶性を有しかつ該溶剤より極性の高い極性溶剤を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程で洗浄された物品を、(C)低分子量ポリオルガノシロキサンおよび/または(D)炭化水素系溶剤を含むすすぎ液によりすすぎ洗浄するすすぎ工程とを具備し、前記すすぎ工程から回収されたすすぎ洗浄排液を蒸留して前記すすぎ液を再生した後、この再生したすすぎ液を前記すすぎ工程に再供給することを特徴とする洗浄方法。

IPC (7件)：

C23G 5/032 ,  B08B 3/08 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/50 ,  C11D 17/00 ,  C23G 1/36 ,  C23G 5/024

FI (7件)：

C23G 5/032 ,  B08B 3/08 Z ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/50 ,  C11D 17/00 ,  C23G 1/36 ,  C23G 5/024

Fターム (33件)：

3B201AA02 ,  3B201AB45 ,  3B201BB04 ,  3B201BB95 ,  3B201CC01 ,  3B201CC15 ,  3B201CD22 ,  4H003DA15 ,  4H003DC03 ,  4H003ED29 ,  4H003ED31 ,  4H003FA21 ,  4H003FA45 ,  4K053PA13 ,  4K053QA06 ,  4K053QA07 ,  4K053RA08 ,  4K053RA31 ,  4K053RA32 ,  4K053RA33 ,  4K053RA40 ,  4K053RA41 ,  4K053RA57 ,  4K053SA06 ,  4K053SA17 ,  4K053SA18 ,  4K053TA13 ,  4K053TA17 ,  4K053TA19 ,  4K053TA20 ,  4K053XA09 ,  4K053YA02 ,  4K053YA10